რატომ ანიჭებენ უპირატესობას სილიკონს ჩვეულებრივ გერმანიუმს ნახევარგამტარული მოწყობილობების წარმოებაში? სილიციუმი უხვად არის დედამიწის ზედაპირზე და, შესაბამისად, უფრო იაფია ვიდრე გერმანიუმი სილიციუმის PIV (პიკური ინვერსიული ძაბვა) ნიშანი გაცილებით მაღალია ვიდრე გერმანიუმი და, შესაბამისად, უძლებს ბევრად მაღალ ტემპერატურას, ვიდრე გერმანიუმი.
რატომ გამოიყენება სილიციუმი ფართოდ ვიდრე გერმანიუმი?
კოლექტორის გათიშვის დენის ვარიაცია ტემპერატურასთან შედარებით ნაკლებია სილიკონში გერმანიუმთან შედარებით. თუმცა, სილიკონის კრისტალები ადვილად არ ზიანდება ზედმეტი სიცხისგან. სილიკონის დიოდების პიკური ინვერსიული ძაბვის რეიტინგები უფრო მეტია ვიდრე გერმანიუმის დიოდები. Si არის ნაკლებად ძვირი ელემენტის დიდი სიმრავლის გამო.
რატომ არის სილიციუმი საუკეთესო ნახევარგამტარი?
სილიკონის უფსკრულის ენერგიის მეტი ენერგიის მქონე ფოტონებისყველაზე დიდია მზის სპექტრზე და სწორედ ამიტომ სილიციუმი არის ყველაზე ცნობილი ნახევარგამტარული მასალა, რომელიც გამოიყენება მზის უჯრედებისთვის მისი ენერგიის მომენტიდან. უფსკრული არის დაახლოებით 1,1 ევ, ხოლო ფოტონების ნაკადის სიმკვრივე ყველაზე მაღალია მათთვის, ვისაც ენერგია 1,1 ევზე მეტი აქვს.
რომელია უკეთესი სილიკონსა და გერმანიუმს შორის?
Ge-ს აქვს ელექტრონებისა და ხვრელების უფრო მაღალი მობილურობა და ამის გამო Ge მოწყობილობებს შეუძლიათ ფუნქციონირება უფრო მაღალი სიხშირით, ვიდრე Si მოწყობილობები. გერმანიუმის დიოდი ასევე აღემატება სილიკონის დიოდს ენერგიის დაკარგვის, დენის დაკარგვის და ა.შ..
არის გერმანიუმი დიოდი?
შეიძლება გამოვიყენოთ როგორც გამსწორებელი, რადგან ის გვთავაზობს შედარებით მაღალ წინააღმდეგობას წინ გადახრისას და ძალიან დაბალ წინააღმდეგობას საპირისპირო მიკერძოებისთვის.
